碳化硅功率器件
工藝制造服務
各電流電壓等級的標準及高溫應用 JBS二極管,平面、溝槽MOSFET,
10kV以上PiN二極管,各項性能指標達到國際領先水平。
可為客戶提供650V-10kV碳化硅二極管流片定制工藝服務,以及各類規格參數外延定制化服務,最大可達250微米。
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尊敬的客戶您好:根據中華人民共和國信息產業部《非經營性互聯網信息服務備案管理辦法》相關規定,為強化互聯網信息安全,深圳基本半導體有限公司網站域名(www.0702126.buzz)將提交通信管理局進行備案,備案期間公司網站暫時關閉,無法正...

尊敬的各位客戶及合作伙伴:新年好!為積極配合國家關于新型冠狀病毒肺炎疫情的防控工作,確保公司員工及客戶的健康安全,根據《廣東省人民政府關于企業復工和學校開學時間的通知》要求,我公司決定將春節后復工時間延遲至2月10日(農歷正月十七 星期一)...

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界

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